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                                                                           强光自动保护技术

 

 

微光摄像管在强光照射下,或在高照度环境下长时间地工作,都将导致摄像管的损坏。即使是SIT型摄像管,也同样容易受到损坏。导致损坏的原因有:高能电子轰击靶而损坏;离子轰击光电阴极而损坏。

 

靶的损坏,除了与照明强度和时间有关系之外,还取决于轰击硅靶的光电子能量的大小。亦即当摄像管处于高灵敏状态时,最容易被强光烧伤。过曝光将引起靶上的轰击点的暗电流,永久性地增加。光电阴极的损坏,是正离子的轰击所造成。这些正离子是由于   光电子和残留气体分子之间的碰撞而产生的。它们被光电阴极的负高压加速,并轰击光电阴极面。在正常情况下,光电子数达不到能够产生损坏光电阴极的离子数,只有当光电阴极电流过大时,才有可能达到损坏光电阴极的离子数。
离子的产生是光子数目的函数,而不是它的能量的函数。即使在图像增强部分加上一个小电压(可低至100V),由于光照的结果,仍会产生光电子流。因此唯一可靠的保护光电阴极的方法,就是完全去掉光电阴极的电压或限制光输入量。由离子轰击损坏光电阴极的结果,使图像中心部分有一个界限不清的暗区。此暗区就是降低了光电灵敏度的区域。
    

   因此,微光摄像机都有强光自动保护电路。其功能是检测投射到光电阴极面上的照度。当面板照度高于予调好的照度时,高压自动切断直到入射减至安全限制时,才又重新加到光电阴极上。

 

另一种方法是监测电子束流的大小,当扫描电子束很小时,光电阴极的高压自动关闭,以保护靶的安全,当电子束流恢复正常之后,高压又可自动接通。


 

 

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